| Параметр |
Условия |
мин. |
тип. |
макс. |
Длина волны максимальной
чувствительности (nm) |
|
- |
940 |
- |
| Напряжение в открытом состоянии (V) |
Ee=5m W/cm2
lp =940nm
|
- |
0.35 |
- |
| Ток короткого замыкания (mA) |
Ee=5m W/cm2
lp =940nm
|
- |
75 |
- |
Обратный ток при
полном освещении (mA) |
Ee=5m W/cm2
lp =940nm
VR=5V |
- |
120 |
- |
| Обратный темновой ток (mA) |
Ee=0 W/cm2
VR=10V |
- |
5 |
30 |
| Обратное напряжение пробоя (V) |
Ee=0 W/cm2
IR=100mA |
35 |
170 |
- |
| Общая емкость (pF) |
Ee=0 W/cm2
VR=3V F=1MHZ |
- |
25 |
- |
| Время нарастания/спада (ns) |
VR=10V
RL=1KW |
- |
50/50 |
- |
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ
ПРИБОРЫ
Светодиодные
кластеры 
